MOSFET-транзистор BSC057N08NS3G Infineon
- Партномер (MPN)
- BSC057N08NS3G
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- TDSON-8
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры BSC057N08NS3G
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
Infineon BSC057N08NS3G — N-канальный силовой MOSFET семейства OptiMOS на 80 В в корпусе TDSON-8 для поверхностного монтажа. Сопротивление открытого канала — 5,7 мОм при управляющем напряжении 10 В, рассеиваемая мощность — 114 Вт.
Постоянный ток стока при 25 °C указан 16 А; при ограничении по температуре корпуса допускается до 100 А.
Характеристики
- Тип
- N-канальный MOSFET
- Серия
- OptiMOS
- Корпус
- TDSON-8
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 114
- Сопротивление канала, мОм
- 5,7
- Напряжение сток-исток макс., В
- 80
- Вес
- 1,890 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор BSC057N08NS3G Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.