MOSFET-транзистор BSC020N03LSG Infineon
- Партномер (MPN)
- BSC020N03LSG
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- TDSON-8
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры BSC020N03LSG
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
BSC020N03LSG — N-канальный силовой MOSFET серии OptiMOS 3 производства Infineon на напряжение 30 В в 8-выводном корпусе TDSON-8. Сопротивление открытого канала не превышает 2,9 мОм, максимальное напряжение затвор-исток ±20 В. Рассеиваемая мощность 96 Вт, типовой заряд затвора 34 нКл, диапазон рабочих температур от −55 до 150 °C.
Характеристики
- Тип
- N-канальный MOSFET
- Серия
- OptiMOS 3
- Корпус
- TDSON-8
- Rds(on) макс., мОм
- 2,9
- Заряд затвора, нКл
- 34
- Мощность рассеяния, Вт
- 96
- Рабочая температура, °C
- −55…150
- Напряжение сток-исток, В
- 30
- Напряжение затвор-исток макс., В
- ±20
- Вес
- 0,503 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор BSC020N03LSG Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.