MOSFET-транзистор BSC010N04LSATMA1 Infineon
- Партномер (MPN)
- BSC010N04LSATMA1
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- TDSON-8
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры BSC010N04LSATMA1
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
BSC010N04LSATMA1 от Infineon — N-канальный силовой MOSFET семейства OptiMOS на 40 В в корпусе PG-TDSON-8. Максимальное сопротивление открытого канала 1,0 мОм при затворе 10 В и 1,3 мОм при 4,5 В. Транзистор оптимизирован для синхронного выпрямления, на 100 % испытан на лавинный пробой.
- Напряжение затвора для полного открытия: от 4,5 до 10 В
- Диапазон рабочих температур: от −55 до 150 °C
Характеристики
- Тип
- N-канальный MOSFET
- Серия
- OptiMOS
- Корпус
- PG-TDSON-8
- Rds(on) при 10 В макс., мОм
- 1,0
- Rds(on) при 4,5 В макс., мОм
- 1,3
- Напряжение затвора, В
- 4,5–10
- Рабочая температура, °C
- −55…150
- Напряжение сток-исток, В
- 40
- Вес
- 1,213 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор BSC010N04LSATMA1 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.