MOSFET-транзистор BSC009NE2LS5ATMA1 Infineon
- Партномер (MPN)
- BSC009NE2LS5ATMA1
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- TDSON-8
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры BSC009NE2LS5ATMA1
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
BSC009NE2LS5ATMA1 — N-канальный MOSFET семейства OptiMOS 5 производства Infineon на напряжение 25 В в корпусе PG-TDSON-8. Сопротивление открытого канала составляет 0,9 мОм при затворе 10 В и 1,25 мОм при 4,5 В, постоянный ток стока при 25 °C равен 223 А.
- Заряд затвора: 43 нКл при 10 В и 20 нКл при 4,5 В
- Рассеиваемая мощность: 74 Вт
- Диапазон рабочих температур: от −55 до 150 °C
- Импульсный ток стока: 892 А
Характеристики
- Тип
- N-канальный MOSFET
- Серия
- OptiMOS 5
- Корпус
- PG-TDSON-8
- Rds(on) при 10 В, мОм
- 0,9
- Rds(on) при 4,5 В, мОм
- 1,25
- Ток стока при 25 °C, А
- 223
- Мощность рассеяния, Вт
- 74
- Рабочая температура, °C
- −55…150
- Напряжение сток-исток, В
- 25
- Заряд затвора при 10 В, нКл
- 43
- Вес
- 1,280 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор BSC009NE2LS5ATMA1 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.