MOSFET-транзистор BSC011N03LSATMA1 Infineon
- Партномер (MPN)
- BSC011N03LSATMA1
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- TDSON-8
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры BSC011N03LSATMA1
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
BSC011N03LSATMA1 — N-канальный MOSFET серии OptiMOS производства Infineon на напряжение 30 В в 8-выводном корпусе PG-TDSON-8. Сопротивление открытого канала не превышает 1,4 мОм, ток стока составляет 100 А. Рассеиваемая мощность 96 Вт, рабочая температура от −55 до 150 °C.
- Напряжение управления затвором: 4,5–10 В
- Размеры корпуса: 6,1×5,35 мм при высоте 1,1 мм
Характеристики
- Тип
- N-канальный MOSFET
- Серия
- OptiMOS
- Корпус
- PG-TDSON-8
- Ток стока, А
- 100
- Rds(on) макс., мОм
- 1,4
- Напряжение затвора, В
- 4,5–10
- Мощность рассеяния, Вт
- 96
- Рабочая температура, °C
- −55…150
- Напряжение сток-исток, В
- 30
- Вес
- 0,875 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор BSC011N03LSATMA1 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.