IGBT-модуль BSM15GD120DN2 Infineon
- Партномер (MPN)
- BSM15GD120DN2
- Производитель
- Infineon
- Тип
- IGBT-модуль
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры BSM15GD120DN2
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
BSM15GD120DN2 производства Infineon — IGBT-модуль в корпусе Econo2 с шестью ключами, образующими трёхфазную мостовую схему. Напряжение коллектор-эмиттер 1,2 кВ, ток 25 А при температуре корпуса 25 °C, максимальная рассеиваемая мощность 145 Вт. Каждый из шести ключей — IGBT с быстрым обратным диодом, исполнение рассчитано на малую мощность.
Характеристики
- Схема
- трёхфазный мост (6 ключей)
- Корпус
- Econo2
- Ток при 25 °C
- 25 А
- Напряжение К-Э
- 1,2 кВ
- Рассеиваемая мощность макс.
- 145 Вт
- Вес
- 64,570 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «IGBT-модуль BSM15GD120DN2 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.