CY7C10612G30-10ZSXI, корпус TSOP-II-54 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

Микросхема памяти SRAM CY7C10612G30-10ZSXI Cypress

Партномер (MPN)
CY7C10612G30-10ZSXI
Производитель
Cypress
Корпус
TSOP-II-54
Тип
Микросхема памяти SRAM
Категория
SRAM
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры CY7C10612G30-10ZSXI

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

Cypress CY7C10612G30-10ZSXI — асинхронная SRAM на 16 Мбит, организация 1M×16: 1 048 576 слов по 16 бит, параллельный интерфейс. Время доступа 10 нс, питание 3…3,6 В, температура −40…+85 °C, корпус TSOP II-54. Объём соответствует 2 МБ; тип памяти RAM, подтип — асинхронная SRAM. Питание охватывает диапазон от 3 до 3,6 В, тактовый вход не используется.

Характеристики

Тип
SRAM, асинхронная
Корпус
TSOP II-54
Интерфейс
параллельный
Объём, Мбит
16
Организация
1M×16
Время доступа, нс
10
Напряжение питания, В
3…3,6
Рабочая температура, °C
−40…+85
Вес
16,310 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Микросхема памяти SRAM CY7C10612G30-10ZSXI Cypress». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.