Микросхема памяти SRAM CY7C1061G30-10BV1XI Cypress
- Партномер (MPN)
- CY7C1061G30-10BV1XI
- Производитель
- Cypress
- Корпус
- VFBGA-48
- Тип
- Микросхема памяти SRAM
- Категория
- SRAM
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры CY7C1061G30-10BV1XI
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
Cypress CY7C1061G30-10BV1XI — асинхронная статическая память CMOS ёмкостью 16 Мбит, организация 1M × 16, время доступа 10 нс, питание 2,2–3,6 В. Встроенный код коррекции ошибок ECC исправляет одиночные ошибки в слове.
Типичный ток 90 мА на частоте 100 МГц, в режиме ожидания ISB2 типично 20 мА, сохранение данных при напряжении 1,0 В. Рабочая температура −40…+85 °C. Корпус VFBGA-48 размером 6×8 мм.
Характеристики
- Корпус
- VFBGA-48 (6 × 8 мм)
- Интерфейс
- Параллельный
- Тип памяти
- SRAM, асинхронная
- Объём, Мбит
- 16
- Организация
- 1M × 16
- Время доступа, нс
- 10
- Коррекция ошибок
- ECC
- Напряжение питания, В
- 2,2–3,6
- Рабочая температура, °C
- −40…+85
- Вес
- 15 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Микросхема памяти SRAM CY7C1061G30-10BV1XI Cypress». Поставка под заказ от 1 шт.