Микросхема памяти SRAM CY7C109D-10VXI Cypress
- Партномер (MPN)
- CY7C109D-10VXI
- Производитель
- Cypress
- Корпус
- SOJ-32
- Тип
- Микросхема памяти SRAM
- Категория
- SRAM
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры CY7C109D-10VXI
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
Cypress CY7C109D-10VXI — быстрая асинхронная статическая память CMOS ёмкостью 1 Мбит, организация 128K × 8, время доступа 10 нс. Для расширения памяти предусмотрены два входа выбора кристалла (CE1 с активным низким и CE2 с активным высоким уровнем), вход разрешения выхода OE и выходы с тремя состояниями; входы и выходы совместимы с ТТЛ.
Напряжение питания 4,5–5,5 В, ток потребления до 80 мА, рабочая температура −40…+85 °C. Корпус SOJ-32.
Характеристики
- Корпус
- SOJ-32
- Интерфейс
- Параллельный
- Тип памяти
- SRAM, асинхронная
- Объём, Мбит
- 1
- Организация
- 128K × 8
- Время доступа, нс
- 10
- Ток потребления, мА
- 80
- Напряжение питания, В
- 4,5–5,5
- Рабочая температура, °C
- −40…+85
- Вес
- 2,715 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Микросхема памяти SRAM CY7C109D-10VXI Cypress». Поставка под заказ от 1 шт.