IGBT-транзистор FGA25N120ANTDTU-F109 onsemi
- Партномер (MPN)
- FGA25N120ANTDTU-F109
- Производитель
- onsemi
- Корпус
- TO-3PN
- Тип
- IGBT-транзистор
- Категория
- IGBT
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры FGA25N120ANTDTU-F109
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
onsemi FGA25N120ANTDTU-F109 — N-канальный IGBT (NPT, Trench) на напряжение коллектор–эмиттер 1200 В в корпусе TO-3PN для монтажа в отверстия. Постоянный ток коллектора при 25 °C — 50 А, импульсный — 90 А, максимальная мощность рассеяния 312 Вт.
Напряжение насыщения 2,65 В при токе 50 А и напряжении затвора 15 В, заряд затвора 200 нКл. Рабочая температура перехода −55…+150 °C.
Характеристики
- Корпус
- TO-3PN
- Мощность
- 312 Вт
- Заряд затвора
- 200 нКл
- Импульсный ток
- 90 А
- Напряжение К–Э
- 1200 В
- Ток коллектора (25 °C)
- 50 А
- Напряжение насыщения
- 2,65 В (50 А, 15 В)
- Температура перехода
- −55…+150 °C
- Вес
- 3,640 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «IGBT-транзистор FGA25N120ANTDTU-F109 onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.