IGBT-транзистор FGA50N100BNTD2 onsemi
- Партномер (MPN)
- FGA50N100BNTD2
- Производитель
- onsemi
- Корпус
- TO-3P
- Тип
- IGBT-транзистор
- Категория
- IGBT
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры FGA50N100BNTD2
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
IGBT FGA50N100BNTD2 от onsemi в корпусе TO-3P, N-канальный, технология NPT and Trench. Напряжение коллектор-эмиттер 1000 В, ток коллектора 50 А при 25 °C, напряжение насыщения 2,9 В. Максимальная мощность 156 Вт, заряд затвора 257 нКл, время восстановления диода 75 нс, включение за 34 нс.
Характеристики
- Корпус
- TO-3P
- Мощность, Вт
- 156
- Напряжение К-Э, В
- 1000
- Заряд затвора, нКл
- 257
- Время включения, нс
- 34
- Время выключения, нс
- 243
- Ток коллектора при 25 °C, А
- 50
- Напряжение насыщения К-Э, В
- 2,9
- Время восстановления диода, нс
- 75
- Вес
- 5,324 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «IGBT-транзистор FGA50N100BNTD2 onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.