IGBT-транзистор FGH60N60SMD onsemi
- Партномер (MPN)
- FGH60N60SMD
- Производитель
- onsemi
- Корпус
- TO-247
- Тип
- IGBT-транзистор
- Категория
- IGBT
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры FGH60N60SMD
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
FGH60N60SMD — IGBT-транзистор onsemi на 600 В в корпусе TO-247. Ток коллектора 120 А при 25 °C, напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1,9 В, время включения 47 нс, максимальное напряжение затвор-эмиттер ±20 В.
Рассеиваемая мощность достигает 600 Вт. Низкое напряжение насыщения снижает потери проводимости в силовых каскадах, а сам транзистор рассчитан на высокие токи и напряжения. Температура перехода от −55 до +150 °C.
Характеристики
- Тип
- IGBT-транзистор
- Корпус
- TO-247
- Время включения, нс
- 47
- Температура перехода, °C
- −55…+150
- Ток коллектора при 25 °C, А
- 120
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 600
- Напряжение насыщения К-Э, В
- 1,9
- Напряжение затвор-эмиттер макс., В
- 20
- Напряжение коллектор-эмиттер макс., В
- 600
- Вес
- 1,723 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «IGBT-транзистор FGH60N60SMD onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.