IGBT-транзистор STGW30NC120HD STMicroelectronics
- Партномер (MPN)
- STGW30NC120HD
- Производитель
- STMicroelectronics
- Корпус
- TO-247
- Тип
- IGBT-транзистор
- Категория
- IGBT
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры STGW30NC120HD
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
STGW30NC120HD — N-канальный IGBT-транзистор серии PowerMESH компании STMicroelectronics в корпусе TO-247 с интегрированным сверхбыстрым диодом. Напряжение коллектор-эмиттер — 1200 В, номинальный ток — 30 А, при 25 °C допускается 60 А. Напряжение насыщения — 2,75 В.
Буква H в обозначении указывает на вариант, оптимизированный для высоких частот: время выключения — 275 нс при малом падении напряжения. Мощность рассеяния — 220 Вт, заряд затвора — 110 нКл. Производитель называет транзистор пригодным для схем мягкого переключения.
Характеристики
- Тип
- IGBT с диодом
- Корпус
- TO-247
- Заряд затвора, нКл
- 110
- Время выключения, нс
- 275
- Мощность рассеяния, Вт
- 220
- Ток коллектора при 25 °C, А
- 60
- Напряжение насыщения К-Э, В
- 2,75
- Ток коллектора номинальный, А
- 30
- Напряжение коллектор-эмиттер макс., В
- 1200
- Вес
- 4,563 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «IGBT-транзистор STGW30NC120HD STMicroelectronics». Поставка под заказ от 1 шт.