IGBT-транзистор STGW60H65DFB STMicroelectronics
- Партномер (MPN)
- STGW60H65DFB
- Производитель
- STMicroelectronics
- Корпус
- TO-247
- Тип
- IGBT-транзистор
- Категория
- IGBT
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры STGW60H65DFB
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
STGW60H65DFB — IGBT-транзистор STMicroelectronics серии HB на 650 В и 60 А с собственной структурой trench gate field-stop, в корпусе TO-247. Серия — компромисс между потерями проводимости и переключения для преобразователей частоты.
- Максимальная температура перехода 175 °C
- Максимальная рассеиваемая мощность 375 Вт, максимальный ток коллектора 80 А
- Очень быстрый антипараллельный диод с мягким восстановлением, время восстановления 60 нс
- Малый разброс параметров, безопасное параллельное включение
Характеристики
- Корпус
- TO-247
- Технология
- Trench gate field-stop
- Макс. ток коллектора, А
- 80
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 375
- Макс. температура перехода, °C
- 175
- Номинальный ток коллектора, А
- 60
- Время восстановления диода, нс
- 60
- Напряжение коллектор-эмиттер, В
- 650
- Вес
- 2,860 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «IGBT-транзистор STGW60H65DFB STMicroelectronics». Поставка под заказ от 1 шт.