IGBT-транзистор STGW60H65DRF STMicroelectronics
- Партномер (MPN)
- STGW60H65DRF
- Производитель
- STMicroelectronics
- Корпус
- TO-247
- Тип
- IGBT-транзистор
- Категория
- IGBT
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры STGW60H65DRF
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
STGW60H65DRF — IGBT-транзистор STMicroelectronics серии HB2 на 650 В и 60 А с собственной структурой trench gate field-stop, в корпусе TO-247. Рассчитан на высокую частоту переключения: очень быстрое переключение, малое тепловое сопротивление, малый разброс параметров.
- Время выдерживания короткого замыкания 6 мкс
- Антипараллельный диод с ультрабыстрым мягким восстановлением
- Максимальный ток коллектора 120 А, рассеиваемая мощность 420 Вт
- Слегка положительный температурный коэффициент Vce(sat) облегчает параллельное включение
Характеристики
- Корпус
- TO-247
- Технология
- Trench gate field-stop
- Стойкость к КЗ, мкс
- 6
- Антипараллельный диод
- есть
- Макс. ток коллектора, А
- 120
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 420
- Номинальный ток коллектора, А
- 60
- Напряжение коллектор-эмиттер, В
- 650
- Вес
- 4,900 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «IGBT-транзистор STGW60H65DRF STMicroelectronics». Поставка под заказ от 1 шт.