IGBT-транзистор STGW40H120DF2 STMicroelectronics
- Партномер (MPN)
- STGW40H120DF2
- Производитель
- STMicroelectronics
- Корпус
- TO-247
- Тип
- IGBT-транзистор
- Категория
- IGBT
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры STGW40H120DF2
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
STGW40H120DF2 — быстрый IGBT-транзистор STMicroelectronics серии H на 1200 В и 40 А по технологии trench gate field-stop, корпус TO-247. Серия рассчитана на компромисс между потерями проводимости и переключения в преобразователях с высокой частотой коммутации.
- Максимальная температура перехода 175 °C
- Время выдерживания короткого замыкания не менее 5 мкс при 150 °C
- Очень быстрый антипараллельный диод, малое тепловое сопротивление
- Слегка положительный температурный коэффициент Vce(sat) и малый разброс параметров облегчают параллельное включение
Характеристики
- Корпус
- TO-247
- Технология
- Trench gate field-stop
- Стойкость к КЗ, мкс
- ≥5 (при 150 °C)
- Антипараллельный диод
- есть
- Макс. температура перехода, °C
- 175
- Номинальный ток коллектора, А
- 40
- Напряжение коллектор-эмиттер, В
- 1200
- Вес
- 5,300 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «IGBT-транзистор STGW40H120DF2 STMicroelectronics». Поставка под заказ от 1 шт.