MOSFET-транзистор FQA9N90-F109 onsemi
- Партномер (MPN)
- FQA9N90-F109
- Производитель
- onsemi
- Корпус
- TO-3PN
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры FQA9N90-F109
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
FQA9N90-F109 от onsemi — N-канальный силовой MOSFET в корпусе TO-3PN, изготовленный по планарной полосковой DMOS-технологии. Напряжение сток-исток 900 В, ток стока 8,6 А при 25 °C, сопротивление канала не более 1,3 Ом при затворе 10 В и токе 4,3 А. Типичный заряд затвора 55 нКл, Crss 25 пФ, мощность рассеивания 240 Вт, энергия одиночного лавинного импульса 900 мДж.
Характеристики
- Канал
- N
- Корпус
- TO-3PN
- Ёмкость Crss, пФ
- 25
- Заряд затвора, нКл
- 55
- Ток стока при 25 °C, А
- 8,6
- Напряжение сток-исток, В
- 900
- Мощность рассеивания, Вт
- 240
- Сопротивление канала, Ом
- 1,3 (макс.)
- Энергия лавины одиночная, мДж
- 900
- Вес
- 2,210 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор FQA9N90-F109 onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.