FS100R12KS4
Изображение корпуса типовое

IGBT-модуль FS100R12KS4 Infineon

Партномер (MPN)
FS100R12KS4
Производитель
Infineon
Тип
IGBT-модуль
Категория
Активные компоненты
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры FS100R12KS4

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

FS100R12KS4 — IGBT-модуль Infineon на напряжение коллектор–эмиттер 1200 В с током коллектора 130 А при 25 °C (импульсный 260 А). Максимальная рассеиваемая мощность 660 Вт, напряжение затвор–эмиттер ±20 В, напряжение изоляции 2500 В. Максимальная температура перехода 150 °C, температура хранения −40…+125 °C.

Характеристики

Импульсный ток, А
260
Напряжение К–Э, В
1200
Напряжение изоляции, В
2500
Температура хранения, °C
−40…+125
Ток коллектора при 25 °C, А
130
Мощность рассеяния макс., Вт
660
Напряжение затвор–эмиттер, В
±20
Температура перехода макс., °C
150
Вес
123 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «IGBT-модуль FS100R12KS4 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.