IGBT-модуль FS100R12KE3_B3 Infineon
- Партномер (MPN)
- FS100R12KE3_B3
- Производитель
- Infineon
- Тип
- IGBT-модуль
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры FS100R12KE3_B3
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
FS100R12KE3_B3 — IGBT-модуль Infineon в схеме sixpack: шесть ключей с обратными диодами в одном корпусе (внутренняя схема GD), на напряжение коллектор–эмиттер 1,2 кВ. Номинальный ток серии FS100R12KE3 — 100 А; при температуре корпуса 25 °C допустимый ток 140 А. Максимальная рассеиваемая мощность 480 Вт.
Характеристики
- Число ключей
- 6
- Ток при 25 °C, А
- 140
- Напряжение К–Э, кВ
- 1,2
- Мощность рассеяния макс., Вт
- 480
- Вес
- 158,370 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «IGBT-модуль FS100R12KE3_B3 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.