MOSFET-транзистор IXFP5N100P IXYS
- Партномер (MPN)
- IXFP5N100P
- Производитель
- IXYS
- Корпус
- TO-220
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры IXFP5N100P
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
IXFP5N100P — высоковольтный N-канальный MOSFET IXYS серии HiPerFET Polar в выводном корпусе TO-220. Напряжение сток-исток 1000 В, ток стока 5 А при 25 °C, сопротивление открытого канала 2,8 Ом при токе 500 мА и напряжении затвора 10 В.
Заряд затвора 33,4 нКл, входная ёмкость 1830 пФ, время обратного восстановления диода 200 нс, рассеиваемая мощность 250 Вт, температура перехода −55…+150 °C.
Характеристики
- Корпус
- TO-220
- Тип канала
- N
- Заряд затвора, нКл
- 33,4
- Входная ёмкость, пФ
- 1830
- Ток стока при 25 °C, А
- 5
- Напряжение сток-исток, В
- 1000
- Температура перехода, °C
- −55…+150
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 250
- Время обратного восстановления, нс
- 200
- Сопротивление открытого канала, Ом
- 2,8
- Вес
- 4,310 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IXFP5N100P IXYS». Поставка под заказ от 1 шт.