IXTQ100N25P, корпус TO-3P (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор IXTQ100N25P IXYS

Партномер (MPN)
IXTQ100N25P
Производитель
IXYS
Корпус
TO-3P
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры IXTQ100N25P

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

IXTQ100N25P — N-канальный MOSFET IXYS серии PolarHT в корпусе TO-3P для выводного монтажа. Напряжение сток-исток 250 В, ток стока 100 А при 25 °C, рассеиваемая мощность 600 Вт.

Заряд затвора 185 нКл, входная ёмкость 6300 пФ, напряжение затвор-исток до ±20 В, пороговое напряжение не выше 5 В. Транзистор нормирован по лавинной энергии и по стойкости к переключению на индуктивную нагрузку, температура перехода −55…+150 °C.

Характеристики

Корпус
TO-3P
Тип канала
N
Заряд затвора, нКл
185
Входная ёмкость, пФ
6300
Ток стока при 25 °C, А
100
Напряжение сток-исток, В
250
Температура перехода, °C
−55…+150
Рассеиваемая мощность, Вт
600
Напряжение затвор-исток макс., В
±20
Пороговое напряжение затвора макс., В
5
Вес
11,360 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IXTQ100N25P IXYS». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.