IXTT90P10P, корпус TO-268 (типовой вид) — Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор IXTT90P10P IXYS

Партномер (MPN): IXTT90P10P
Производитель: IXYS
Корпус: TO-268
Тип: MOSFET-транзистор
Категория: MOSFET и силовые транзисторы
Наличие: под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить цену и срок

Поставка под заказ, срок 4–7 недель
Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
Доставка по России транспортными компаниями
Входной контроль и условия возврата

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

IXTT90P10P — P-канальный MOSFET IXYS серии PolarP в корпусе TO-268 для поверхностного монтажа. Транзистор обогащённого типа, рассчитан на лавинный режим и нормированную скорость изменения напряжения dv/dt. Максимальное напряжение сток-исток −100 В, постоянный ток стока при 25 °C — −90 А, сопротивление открытого канала не более 25 мОм при токе 45 А и напряжении затвора 10 В.

Заряд затвора — 120 нКл, входная ёмкость — 5800 пФ, рассеиваемая мощность — 462 Вт, тепловое сопротивление кристалл-корпус — 0,27 °C/Вт. Быстрый внутренний диод и малая индуктивность корпуса. Типовые схемы: ключи верхнего плеча, двухтактные усилители, DC-чопперы, автоматическое испытательное оборудование, регуляторы тока.

Характеристики

Корпус: TO-268
Тип канала: P
Заряд затвора: 120 нКл
Ток стока (25 °C): −90 А
Входная ёмкость: 5800 пФ
Рассеиваемая мощность: 462 Вт
Напряжение сток-исток макс.: −100 В
Напряжение затвор-исток макс.: 20 В
Сопротивление открытого канала: ≤25 мОм (45 А, 10 В)
Тепловое сопротивление кристалл-корпус: 0,27 °C/Вт
Вес: 10,500 г

Работали с этой позицией? Оставьте отзыв

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор IXTT90P10P IXYS». Поставка под заказ от 1 шт.