MOSFET-транзистор RD01MUS2 Mitsubishi Electric
- Партномер (MPN)
- RD01MUS2
- Производитель
- Mitsubishi Electric
- Корпус
- SOT-89
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Товары
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры RD01MUS2
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
Mitsubishi Electric RD01MUS2 — кремниевый MOSFET для ВЧ-усилителей диапазона до 520 МГц, рассчитан на 1 Вт при питании 7,2 В. Выходная мощность выше 0,8 Вт, коэффициент усиления свыше 14 дБ, КПД стока 65 % (тип.).
Корпус SOT-89, встроенный защитный диод затвора. Предназначен для драйверных каскадов мощных усилителей мобильных радиостанций VHF/UHF.
Характеристики
- Частота
- 520 МГц
- КПД стока
- 65 % (тип.)
- Выходная мощность
- 1 Вт
- Напряжение питания
- 7,2 В
- Коэффициент усиления
- более 14 дБ
- Вес
- 0,794 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор RD01MUS2 Mitsubishi Electric». Поставка под заказ от 1 шт.