MOSFET-транзистор RD07MVS1 Mitsubishi
- Партномер (MPN)
- RD07MVS1
- Производитель
- Mitsubishi
- Корпус
- SMD
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Товары
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры RD07MVS1
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
Mitsubishi RD07MVS1 — кремниевый ВЧ MOSFET для выходных каскадов усилителей VHF/UHF, работает на 175 и 520 МГц. Выходная мощность более 7 Вт при питании 7,2 В, усиление свыше 10 дБ на 520 МГц.
КПД стока 60 % на 175 МГц и 55 % на 520 МГц (типовые). Напряжение сток–исток до 30 В, затвор защищён встроенным диодом, корпус QFN-12.
Характеристики
- Корпус
- QFN-12
- Частота
- 175/520 МГц
- Усиление на 520 МГц
- более 10 дБ
- Выходная мощность
- более 7 Вт
- Напряжение питания
- 7,2 В
- Напряжение сток–исток макс.
- 30 В
- Вес
- 3,640 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор RD07MVS1 Mitsubishi». Поставка под заказ от 1 шт.