ВЧ MOSFET-транзистор RD16HHF1-501 Mitsubishi
- Партномер (MPN)
- RD16HHF1-501
- Производитель
- Mitsubishi
- Корпус
- TO-220
- Тип
- ВЧ MOSFET-транзистор
- Категория
- Товары
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры RD16HHF1-501
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
RD16HHF1-501 — кремниевый ВЧ MOSFET Mitsubishi в корпусе TO-220, предназначенный для усилителей мощности коротковолнового диапазона до 30 МГц. Транзистор n-канальный, с встроенным защитным диодом затвора.
При напряжении стока 12,5 В на частоте 30 МГц выходная мощность превышает 16 Вт при коэффициенте усиления более 16 дБ. Максимальное напряжение сток-исток 50 В, ток стока до 5 А.
Характеристики
- Тип
- ВЧ MOSFET, n-канал
- Корпус
- TO-220
- Ток стока, А
- 5
- Частота, МГц
- до 30
- Выходная мощность, Вт
- более 16 (при 12,5 В, 30 МГц)
- Коэффициент усиления, дБ
- более 16
- Максимальное напряжение сток-исток, В
- 50
- Вес
- 2,990 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «ВЧ MOSFET-транзистор RD16HHF1-501 Mitsubishi». Поставка под заказ от 1 шт.