SBC807-40WT1G, корпус SOT-323 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

Биполярный транзистор SBC807-40WT1G onsemi

Партномер (MPN)
SBC807-40WT1G
Производитель
onsemi
Корпус
SOT-323
Тип
Биполярный транзистор
Категория
Активные компоненты
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры SBC807-40WT1G

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

SBC807-40WT1G — маломощный биполярный транзистор PNP производства onsemi в корпусе SOT-323 (SC-70). Максимальный ток коллектора 500 мА, граничная частота 100 МГц.

Минимальный коэффициент усиления по току равен 250.

Напряжение коллектор-эмиттер 45 В, рассеиваемая мощность 460 мВт, напряжение насыщения коллектор-эмиттер 700 мВ. Рабочая температура от −55 до +150 °C.

Характеристики

Корпус
SOT-323 (SC-70)
Структура
PNP
Ток коллектора, мА
500
Граничная частота, МГц
100
Рабочая температура, °C
−55…+150
Напряжение насыщения, мВ
700
Рассеиваемая мощность, мВт
460
Напряжение коллектор-эмиттер, В
45
Коэффициент усиления по току мин.
250
Вес
0,016 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Биполярный транзистор SBC807-40WT1G onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.