SBC817-25LT1G, корпус SOT-23 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

Биполярный транзистор NPN SBC817-25LT1G onsemi

Партномер (MPN)
SBC817-25LT1G
Производитель
onsemi
Корпус
SOT-23
Тип
Биполярный транзистор NPN
Категория
Активные компоненты
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры SBC817-25LT1G

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

SBC817-25LT1G — маломощный биполярный транзистор структуры NPN от onsemi в корпусе SOT-23. Допустимое напряжение коллектор–эмиттер 45 В, ток коллектора до 500 мА, рассеиваемая мощность 225 мВт.

Коэффициент усиления по току лежит в пределах 160–400, граничная частота 100 МГц. Типовое применение — усиление и коммутация слабых сигналов на плате.

Характеристики

Корпус
SOT-23
Структура
NPN
Ток коллектора
500 мА
Граничная частота
100 МГц
Рассеиваемая мощность
225 мВт
Коэффициент усиления h21E
160–400
Напряжение коллектор–эмиттер макс.
45 В
Вес
0,014 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Биполярный транзистор NPN SBC817-25LT1G onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.