SBC846BWT1G, корпус SOT-323 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

Биполярный транзистор SBC846BWT1G onsemi

Партномер (MPN)
SBC846BWT1G
Производитель
onsemi
Корпус
SOT-323
Тип
Биполярный транзистор
Категория
Активные компоненты
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры SBC846BWT1G

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

SBC846BWT1G — маломощный биполярный транзистор NPN производства onsemi в корпусе SOT-323. Напряжение коллектор-эмиттер до 65 В, ток коллектора до 100 мА, рассеиваемая мощность 150 мВт.

Коэффициент усиления по току от 200 до 450, граничная частота 100 МГц. Применяется как слаботочный транзистор в схемах малой мощности.

Характеристики

Корпус
SOT-323
Структура
NPN
Ток коллектора, мА
100
Граничная частота, МГц
100
Рассеиваемая мощность, мВт
150
Коэффициент усиления по току
200…450
Напряжение коллектор-эмиттер, В
65
Вес
0,015 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Биполярный транзистор SBC846BWT1G onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.