IGBT-транзистор HGT1S10N120BNST onsemi
- Партномер (MPN)
- HGT1S10N120BNST
- Производитель
- onsemi
- Корпус
- TO-263
- Тип
- IGBT-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры HGT1S10N120BNST
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
IGBT-транзистор HGT1S10N120BNST производства onsemi: N-канальный, технология NPT, корпус TO-263AB для поверхностного монтажа. Напряжение коллектор–эмиттер 1200 В, ток коллектора 35 А при 25 °C, напряжение насыщения 2,7 В, мощность рассеяния 298 Вт. Заряд затвора 100 нКл, время включения 23 нс, время выключения 165 нс.
Характеристики
- Корпус
- TO-263
- Структура
- N-канальный IGBT, NPT
- Заряд затвора, нКл
- 100
- Время включения, нс
- 23
- Время выключения, нс
- 165
- Мощность рассеяния, Вт
- 298
- Напряжение К–Э макс., В
- 1200
- Ток коллектора при 25 °C, А
- 35
- Напряжение насыщения К–Э, В
- 2,7
- Вес
- 1,890 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «IGBT-транзистор HGT1S10N120BNST onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.