IGBT-транзистор HGTP20N60A4 onsemi
- Партномер (MPN)
- HGTP20N60A4
- Производитель
- onsemi
- Корпус
- TO-220
- Тип
- IGBT-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры HGTP20N60A4
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
HGTP20N60A4 от onsemi — биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT): максимальное напряжение коллектор–эмиттер 600 В, максимальный ток коллектора при 25 °C составляет 70 А. Напряжение насыщения 2,7 В, предельная мощность 290 Вт.
- Включается за 15 нс, выключается за 73 нс
- Заряд затвора 142 нКл
- Тип входа затвора — стандартный
Характеристики
- Тип
- IGBT
- Мощность макс., Вт
- 290
- Заряд затвора, нКл
- 142
- Время включения, нс
- 15
- Время выключения, нс
- 73
- Напряжение К–Э макс., В
- 600
- Ток коллектора при 25 °C, А
- 70
- Напряжение насыщения К–Э, В
- 2,7
- Вес
- 1,730 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «IGBT-транзистор HGTP20N60A4 onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.