IGBT-транзистор HGTG5N120BND onsemi
- Партномер (MPN)
- HGTG5N120BND
- Производитель
- onsemi
- Корпус
- TO-247
- Тип
- IGBT-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры HGTG5N120BND
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
HGTG5N120BND — N-канальный IGBT-транзистор onsemi технологии NPT со встроенным сверхбыстрым диодом, корпус TO-247 для монтажа в отверстия. Напряжение коллектор–эмиттер 1200 В, постоянный ток коллектора 21 А, напряжение насыщения до 2,7 В. Мощность рассеяния 167 Вт, рабочая температура от −55 до +150 °C.
Характеристики
- Корпус
- TO-247
- Структура
- N-канальный IGBT, NPT, с диодом
- Ток коллектора, А
- 21
- Мощность рассеяния, Вт
- 167
- Напряжение К–Э макс., В
- 1200
- Рабочая температура, °C
- −55…+150
- Напряжение насыщения К–Э макс., В
- 2,7
- Вес
- 0,850 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «IGBT-транзистор HGTG5N120BND onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.