IGBT-транзистор HGTG27N120BN onsemi
- Партномер (MPN)
- HGTG27N120BN
- Производитель
- onsemi
- Корпус
- TO-247
- Тип
- IGBT-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры HGTG27N120BN
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
IGBT-транзистор HGTG27N120BN типа NPT в корпусе TO-247, бренд onsemi. Выдерживает между коллектором и эмиттером до 1200 В, коллекторный ток при 25 °C — до 72 А, напряжение насыщения 2,7 В.
- Задержки: 24 нс на включение и 195 нс на выключение
- Предельная мощность 500 Вт
- Заряд затвора 270 нКл
Характеристики
- Тип
- IGBT, NPT
- Корпус
- TO-247
- Мощность макс., Вт
- 500
- Заряд затвора, нКл
- 270
- Время включения, нс
- 24
- Время выключения, нс
- 195
- Напряжение К–Э макс., В
- 1200
- Ток коллектора при 25 °C, А
- 72
- Напряжение насыщения К–Э, В
- 2,7
- Вес
- 5,075 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «IGBT-транзистор HGTG27N120BN onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.