MOSFET-транзистор SI2300DS-T1-GE3 Vishay
- Партномер (MPN)
- SI2300DS-T1-GE3
- Производитель
- Vishay
- Корпус
- SOT-23
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы Vishay
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры SI2300DS-T1-GE3
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
SI2300DS-T1-GE3 — N-канальный MOSFET производства Vishay в корпусе SOT-23. Максимальное напряжение сток-исток 30 В, номинальный ток стока 3,6 А при сопротивлении открытого канала 68 мОм.
- Максимальное напряжение затвор-исток 12 В
- Заряд затвора 10 нКл, ёмкость затвора 320 пФ
- Рассеиваемая мощность 1,1 Вт
Характеристики
- Корпус
- SOT-23
- Тип канала
- N
- Ток стока, А
- 3,6
- Заряд затвора, нКл
- 10
- Ёмкость затвора, пФ
- 320
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 1,1
- Сопротивление канала, мОм
- 68
- Напряжение сток-исток макс., В
- 30
- Напряжение затвор-исток макс., В
- 12
- Вес
- 0,208 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор SI2300DS-T1-GE3 Vishay». Поставка под заказ от 1 шт.