MOSFET-транзистор SI2302CDS-T1-GE3 Vishay
- Партномер (MPN)
- SI2302CDS-T1-GE3
- Производитель
- Vishay
- Корпус
- SOT-23
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы Vishay
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры SI2302CDS-T1-GE3
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
Vishay SI2302CDS-T1-GE3 — N-канальный MOSFET в корпусе SOT-23 на 20 В. Номинальный ток стока 2,6 А, сопротивление открытого канала 57 мОм, рассеиваемая мощность 710 мВт.
Затвор рассчитан на напряжение до 8 В, управляющее напряжение лежит в диапазоне 2,5–4,5 В, полный заряд затвора составляет 5,5 нКл.
Характеристики
- Корпус
- SOT-23
- Тип канала
- N
- Ток стока, А
- 2,6
- Заряд затвора, нКл
- 5,5
- Сопротивление канала, мОм
- 57
- Рассеиваемая мощность, мВт
- 710
- Напряжение сток-исток макс., В
- 20
- Напряжение затвор-исток макс., В
- 8
- Вес
- 0,159 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор SI2302CDS-T1-GE3 Vishay». Поставка под заказ от 1 шт.