SI2318CDS-T1-GE3, корпус SOT-23 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор SI2318CDS-T1-GE3 Vishay

Партномер (MPN)
SI2318CDS-T1-GE3
Производитель
Vishay
Корпус
SOT-23
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы Vishay
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры SI2318CDS-T1-GE3

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

Vishay SI2318CDS-T1-GE3 — N-канальный MOSFET в корпусе SOT-23 (TO-236) на 40 В. Допустимый ток стока 5,6 А, рассеиваемая мощность 1,25 Вт.

Компактный корпус для поверхностного монтажа подходит для коммутации нагрузок на плотно скомпонованных платах. Транзистор управляется напряжением на затворе и рассчитан на ключевые схемы с током в единицы ампер.

Характеристики

Канал
N
Корпус
SOT-23 (TO-236)
Ток стока
5,6 А
Рассеиваемая мощность
1,25 Вт
Напряжение сток–исток
40 В
Вес
0,116 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор SI2318CDS-T1-GE3 Vishay». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.