SI2325DS, корпус SOT-23 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор SI2325DS Vishay

Партномер (MPN)
SI2325DS
Производитель
Vishay
Корпус
SOT-23
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы Vishay
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры SI2325DS

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

SI2325DS от Vishay — P-канальный MOSFET с напряжением сток-исток до −150 В. Ток стока ограничен 690 мА, открытый канал имеет сопротивление 1,2 Ом при управляющем напряжении затвора 4,5 В.

Затвор допускает до 20 В относительно истока, заряд затвора равен 7,7 нКл, рассеиваемая мощность достигает 1,25 Вт.

Характеристики

Тип канала
P
Ток стока, мА
690
Заряд затвора, нКл
7,7
Сопротивление канала, Ом
1,2
Рассеиваемая мощность, Вт
1,25
Напряжение сток-исток макс., В
−150
Напряжение затвор-исток макс., В
20
Вес
0,220 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор SI2325DS Vishay». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.