MOSFET-транзистор Si2399DS-T1-GE3 Vishay
- Партномер (MPN)
- Si2399DS-T1-GE3
- Производитель
- Vishay
- Корпус
- SOT-23
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы Vishay
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры Si2399DS-T1-GE3
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
Si2399DS-T1-GE3 — P-канальный MOSFET производства Vishay на напряжение сток-исток −20 В в компактном корпусе SOT-23 (TO-236). Допустимое напряжение затвор-исток 12 В, рабочее управляющее напряжение затвора лежит в пределах 2,5–10 В.
Рассеиваемая мощность 1,25 Вт, заряд затвора 20 нКл, входная ёмкость 835 пФ. Подходит для ключей верхнего плеча и коммутации нагрузки в цепях низкого напряжения, где мало места.
Характеристики
- Тип
- MOSFET
- Канал
- P
- Корпус
- SOT-23 (TO-236)
- Заряд затвора, нКл
- 20
- Входная ёмкость, пФ
- 835
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 1,25
- Напряжение сток-исток макс., В
- −20
- Напряжение затвор-исток макс., В
- 12
- Управляющее напряжение затвора, В
- 2,5–10
- Вес
- 0,264 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор Si2399DS-T1-GE3 Vishay». Поставка под заказ от 1 шт.