MOSFET-транзистор SI3993CDV-T1-GE3 Vishay
- Партномер (MPN)
- SI3993CDV-T1-GE3
- Производитель
- Vishay
- Корпус
- TSOP-6
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы Vishay
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры SI3993CDV-T1-GE3
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
Vishay SI3993CDV-T1-GE3 — сдвоенный P-канальный MOSFET на −30 В в корпусе TSOP-6. Ток стока −2,6 А при 25 °C, сопротивление открытого канала не более 0,111 Ом при −10 В и 0,188 Ом при −4,5 В.
- Максимальное напряжение затвор-исток ±20 В
- Типовой заряд затвора 2,7 нКл, максимальный 4 нКл
- Рассеиваемая мощность 1,14 Вт, температура перехода −55…+150 °C
Характеристики
- Корпус
- TSOP-6
- Тип канала
- 2 P-канала
- Ток стока при 25 °C, А
- −2,6
- Рабочая температура, °C
- −55…+150
- Заряд затвора макс., нКл
- 4
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 1,14
- Напряжение сток-исток макс., В
- −30
- Напряжение затвор-исток макс., В
- ±20
- Сопротивление канала при −10 В, Ом
- 0,111 (макс.)
- Сопротивление канала при −4,5 В, Ом
- 0,188 (макс.)
- Вес
- 0,209 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор SI3993CDV-T1-GE3 Vishay». Поставка под заказ от 1 шт.