MOSFET-транзистор Si2351DS-T1-E3 Vishay
- Партномер (MPN)
- Si2351DS-T1-E3
- Производитель
- Vishay
- Корпус
- SOT-23
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы Vishay
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры Si2351DS-T1-E3
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
Si2351DS-T1-E3 — P-канальный MOSFET Vishay в корпусе TO-236 (SOT-23) на −20 В. Номинальный ток стока 2,8 А, сопротивление открытого канала 115 мОм при управляющем напряжении затвора 4,5 В.
Заряд затвора 5,1 нКл, ёмкость затвора 250 пФ, рассеиваемая мощность 1 Вт.
Характеристики
- Корпус
- SOT-23
- Тип канала
- P
- Ток стока, А
- 2,8
- Заряд затвора, нКл
- 5,1
- Ёмкость затвора, пФ
- 250
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 1
- Сопротивление канала, мОм
- 115
- Напряжение сток-исток макс., В
- −20
- Вес
- 0,321 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор Si2351DS-T1-E3 Vishay». Поставка под заказ от 1 шт.