MOSFET-транзистор SI2323DDS-T1-GE3 Vishay
- Партномер (MPN)
- SI2323DDS-T1-GE3
- Производитель
- Vishay
- Корпус
- SOT-23
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы Vishay
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры SI2323DDS-T1-GE3
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
SI2323DDS-T1-GE3 производства Vishay — P-канальный MOSFET в корпусе SOT-23, рассчитанный на −20 В. Ток стока 5,3 А, сопротивление открытого канала 39 мОм, управляющее напряжение затвора 1,8–4,5 В.
- Максимальное напряжение затвор-исток 8 В
- Заряд затвора 36 нКл, ёмкость затвора 1160 пФ
- Рассеиваемая мощность 960 мВт
Характеристики
- Корпус
- SOT-23
- Тип канала
- P
- Ток стока, А
- 5,3
- Заряд затвора, нКл
- 36
- Ёмкость затвора, пФ
- 1160
- Сопротивление канала, мОм
- 39
- Рассеиваемая мощность, мВт
- 960
- Напряжение сток-исток макс., В
- −20
- Напряжение затвор-исток макс., В
- 8
- Вес
- 0,120 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор SI2323DDS-T1-GE3 Vishay». Поставка под заказ от 1 шт.