Si2323DS-T1, корпус SOT-23 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор Si2323DS-T1 Vishay

Партномер (MPN)
Si2323DS-T1
Производитель
Vishay
Корпус
SOT-23
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы Vishay
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры Si2323DS-T1

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

Si2323DS-T1 — P-канальный MOSFET Vishay с максимальным напряжением сток-исток −20 В. Номинальный ток стока 3,7 А, сопротивление открытого канала 39 мОм.

Заряд затвора 19 нКл, ёмкость затвора 1020 пФ, рассеиваемая мощность 750 мВт. Корпус TO-236, он же SOT-23, для поверхностного монтажа.

Характеристики

Корпус
SOT-23
Тип канала
P
Ток стока, А
3,7
Заряд затвора, нКл
19
Ёмкость затвора, пФ
1020
Сопротивление канала, мОм
39
Рассеиваемая мощность, мВт
750
Напряжение сток-исток макс., В
−20
Вес
0,249 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор Si2323DS-T1 Vishay». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.