SI2371EDS-T1-GE3, корпус SOT-23 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор SI2371EDS-T1-GE3 Vishay

Партномер (MPN)
SI2371EDS-T1-GE3
Производитель
Vishay
Корпус
SOT-23
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы Vishay
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры SI2371EDS-T1-GE3

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

SI2371EDS-T1-GE3 от Vishay — P-канальный транзистор в корпусе TO-236, он же SOT-23. Допустимо −30 В на стоке относительно истока, ток 4,8 А, сопротивление канала 45 мОм при затворном напряжении 2,5–10 В.

Затвор выдерживает 12 В, его заряд 35 нКл, рассеиваемая мощность 1 Вт.

Характеристики

Корпус
SOT-23
Тип канала
P
Ток стока, А
4,8
Заряд затвора, нКл
35
Рассеиваемая мощность, Вт
1
Сопротивление канала, мОм
45
Напряжение сток-исток макс., В
−30
Напряжение затвор-исток макс., В
12
Вес
0,055 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор SI2371EDS-T1-GE3 Vishay». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.