MOSFET-транзистор SI2305CDS-T1-GE3 Vishay
- Партномер (MPN)
- SI2305CDS-T1-GE3
- Производитель
- Vishay
- Корпус
- SOT-23
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы Vishay
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры SI2305CDS-T1-GE3
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
SI2305CDS-T1-GE3 от Vishay — P-канальный MOSFET в корпусе SOT-23 с максимальным напряжением сток-исток −8 В. Ток стока 5,8 А, сопротивление открытого канала 35 мОм.
- Напряжение затвор-исток до 8 В
- Заряд затвора 30 нКл, ёмкость затвора 960 пФ
- Рассеиваемая мощность 960 мВт
Характеристики
- Корпус
- SOT-23
- Тип канала
- P
- Ток стока, А
- 5,8
- Заряд затвора, нКл
- 30
- Ёмкость затвора, пФ
- 960
- Сопротивление канала, мОм
- 35
- Рассеиваемая мощность, мВт
- 960
- Напряжение сток-исток макс., В
- −8
- Напряжение затвор-исток макс., В
- 8
- Вес
- 0,159 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор SI2305CDS-T1-GE3 Vishay». Поставка под заказ от 1 шт.