MOSFET-транзистор CSD16327Q3T Texas Instruments
- Партномер (MPN)
- CSD16327Q3T
- Производитель
- Texas Instruments
- Корпус
- SMD
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы Texas Instruments
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры CSD16327Q3T
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
CSD16327Q3T — N-канальный силовой MOSFET семейства NexFET от Texas Instruments на 25 В в корпусе SON 3,3×3,3 мм. Сопротивление открытого канала не более 4,8 мОм при 4,5 В на затворе, заряд затвора 6,2 нКл, ток стока 112 А (по кремнию) и 60 А (ограничение корпуса). Оптимизирован под управление затвором 5 В, выдерживает лавинный режим, диапазон температур от −55 до +150 °C.
Характеристики
- Корпус
- SON 3,3×3,3 мм
- Тип канала
- N
- Заряд затвора
- 6,2 нКл
- Rds(on) при 4,5 В, макс.
- 4,8 мОм
- Рабочая температура
- −55…+150 °C
- Напряжение сток-исток
- 25 В
- Напряжение затвор-исток
- 10 В
- Ток стока по кремнию (25 °C)
- 112 А
- Ток стока, ограничение корпусом
- 60 А
- Вес
- 3,640 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор CSD16327Q3T Texas Instruments». Поставка под заказ от 1 шт.