MOSFET-транзистор CSD17308Q3 Texas Instruments
- Партномер (MPN)
- CSD17308Q3
- Производитель
- Texas Instruments
- Корпус
- SMD
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы Texas Instruments
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры CSD17308Q3
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
Texas Instruments CSD17308Q3 — N-канальный MOSFET NexFET на 30 В в корпусе VSON 3,3×3,3 мм, оптимизированный для управления затвором 5 В. Сопротивление открытого канала до 11,8 мОм при 4,5 В, заряд затвора 3,9 нКл, заряд затвор-сток 0,8 нКл, пороговое напряжение 1,3 В, ток стока 50 А. Лавинная устойчивость, температура от −55 до +150 °C.
Характеристики
- Корпус
- VSON 3,3×3,3 мм
- Ток стока
- 50 А
- Тип канала
- N
- Заряд затвора
- 3,9 нКл
- Rds(on) при 4,5 В, макс.
- 11,8 мОм
- Заряд затвор-сток
- 0,8 нКл
- Рабочая температура
- −55…+150 °C
- Напряжение сток-исток
- 30 В
- Напряжение затвор-исток
- 10 В
- Пороговое напряжение (тип.)
- 1,3 В
- Вес
- 0,259 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор CSD17308Q3 Texas Instruments». Поставка под заказ от 1 шт.