CSD17510Q5A, корпус SMD (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор CSD17510Q5A Texas Instruments

Партномер (MPN)
CSD17510Q5A
Производитель
Texas Instruments
Корпус
SMD
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы Texas Instruments
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры CSD17510Q5A

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

CSD17510Q5A — N-канальный силовой MOSFET NexFET от Texas Instruments для нижнего плеча, 30 В, с допустимым напряжением затвор-исток 20 В. Корпус SON 5×6 мм. Rds(on) не более 5,2 мОм при 10 В и 7,3 мОм при 4,5 В, заряд затвора 6,4 нКл, входная ёмкость 1250 пФ, ток стока 55 А, рассеиваемая мощность 3 Вт.

Характеристики

Корпус
SON 5×6 мм
Ток стока
55 А
Тип канала
N
Заряд затвора
6,4 нКл
Входная ёмкость
1250 пФ
Rds(on) при 10 В, макс.
5,2 мОм
Rds(on) при 4,5 В, макс.
7,3 мОм
Напряжение сток-исток
30 В
Рассеиваемая мощность
3 Вт
Напряжение затвор-исток
20 В
Вес
0,476 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор CSD17510Q5A Texas Instruments». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.