MOSFET-транзистор CSD19532Q5B Texas Instruments

Описание

CSD19532Q5B — N-канальный силовой MOSFET семейства NexFET от Texas Instruments на 100 В в корпусе SON 5×6 мм. Сопротивление открытого канала при затворе 10 В не выше 4,9 мОм, ток стока ограничен корпусом на уровне 100 А (по кристаллу — 140 А).

• Заряд затвора 48 нКл, Qgd 8,7 нКл — низкие динамические потери;
• пороговое напряжение типовое 2,6 В, затвор ±20 В;
• стойкость к лавинному пробою, низкое тепловое сопротивление;
• бессвинцовое покрытие выводов, RoHS, без галогенов.

Транзистор предназначен для снижения потерь в силовых преобразователях. Диапазон температуры перехода от -55 до 150 °C.

Характеристики

Тип

N-канальный MOSFET

Заряд Qgd тип., нКл

8,7

Rds(on) при Vgs=10 В макс., мОм

4,9

Заряд затвора Qg тип., нКл

48

Напряжение сток-исток, В

100

Температура перехода, °C

-55...150

Напряжение затвор-исток, В

±20

Пороговое напряжение типовое, В

2,6

Ток стока (по кристаллу, Tc=25 °C), А

140

Ток стока (ограничение корпусом), А

100

Вес

0,612 г