MOSFET-транзистор CSD19502Q5B Texas Instruments
- Партномер (MPN)
- CSD19502Q5B
- Производитель
- Texas Instruments
- Корпус
- SMD
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы Texas Instruments
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры CSD19502Q5B
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
CSD19502Q5B — N-канальный силовой MOSFET NexFET от Texas Instruments на 80 В, корпус SON 5×6 мм. Сопротивление открытого канала до 4,1 мОм при 10 В, заряд затвора 48 нКл, заряд затвор-сток 8,6 нКл, пороговое напряжение 2,7 В, входная ёмкость 4870 пФ. Ток стока 157 А по кремнию, 100 А по корпусу, мощность 3,1 Вт.
Характеристики
- Корпус
- SON 5×6 мм
- Тип канала
- N
- Заряд затвора
- 48 нКл
- Входная ёмкость
- 4870 пФ
- Rds(on) при 10 В, макс.
- 4,1 мОм
- Напряжение сток-исток
- 80 В
- Рассеиваемая мощность
- 3,1 Вт
- Напряжение затвор-исток
- 20 В
- Ток стока по кремнию (25 °C)
- 157 А
- Пороговое напряжение (тип.)
- 2,7 В
- Ток стока, ограничение корпусом
- 100 А
- Вес
- 0,694 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор CSD19502Q5B Texas Instruments». Поставка под заказ от 1 шт.