Биполярный транзистор Дарлингтона MJD112G onsemi
- Партномер (MPN)
- MJD112G
- Производитель
- onsemi
- Корпус
- TO-252
- Тип
- Биполярный транзистор Дарлингтона
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы onsemi
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры MJD112G
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
onsemi MJD112G — NPN-транзистор Дарлингтона в корпусе DPAK (TO-252) для поверхностного монтажа. Напряжение коллектор-эмиттер 100 В, постоянный ток коллектора 2 А, импульсный до 4 А. Коэффициент усиления по току не менее 1000 при токе 2 А.
Граничная частота 25 МГц, рассеиваемая мощность 1,75 Вт на плате и 20 Вт с радиатором. Комплементарная PNP-пара — MJD117G.
Характеристики
- Корпус
- DPAK (TO-252)
- Структура
- NPN, Дарлингтон
- Ток коллектора, А
- 2
- Мощность на плате, Вт
- 1,75
- Граничная частота, МГц
- 25
- Усиление hFE мин. (при 2 А)
- 1000
- Импульсный ток коллектора, А
- 4
- Напряжение коллектор-эмиттер макс., В
- 100
- Вес
- 0,240 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Биполярный транзистор Дарлингтона MJD112G onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.