MJD340T4G, корпус TO-252 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

Биполярный транзистор NPN MJD340T4G onsemi

Партномер (MPN)
MJD340T4G
Производитель
onsemi
Корпус
TO-252
Тип
Биполярный транзистор NPN
Категория
MOSFET и силовые транзисторы onsemi
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры MJD340T4G

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

MJD340T4G — высоковольтный биполярный NPN-транзистор onsemi в корпусе TO-252. Напряжение коллектор–эмиттер 300 В, ток коллектора 500 мА, рассеиваемая мощность 15 Вт.

Коэффициент усиления по току от 30 до 240. Комплементарная пара — MJD350. Корпус для поверхностного монтажа позволяет использовать транзистор в высоковольтных каскадах при небольшом токе нагрузки.

Характеристики

Корпус
TO-252
Структура
NPN
Ток коллектора, мА
500
Комплементарная пара
MJD350
Коэффициент усиления
30…240
Напряжение К–Э макс., В
300
Рассеиваемая мощность, Вт
15
Вес
0,135 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Биполярный транзистор NPN MJD340T4G onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.